中科院上海光机所承担的上海市科技攻关计划项目“高效发光非极性GaN基LED衬底铝酸锂晶体和晶片研制”通过了上海市科委组织的验收。

该项目组研制出2英寸等径长度大于100毫米的铝酸锂晶体11根，制备晶片300多片，技术指标均达到或超过考核要求，晶片质量规格达到实用化，并提供给上海蓝光、南京大学等用户使用；发现了(302)LiAlO2衬底在抛光、外延、稳定性等方面优于(100)LiAlO2衬底，指出了(302)LiAlO2衬底可作为制备非极性a面GaN-LED发光器件的新型衬底。专家组认为，该项目为铝酸锂晶体和晶片在半导体白光照明等方面的应用提供了技术和知识产权储备。