在国家自然科学基金委、科技部和中科院的大力支持下，化学所有机固体院重点实验室的研究人员在提高n-型有机场效应晶体管稳定性的研究方面取得新进展，有关研究成果发表在近期的Adv. Mater. (2009, 21, 1631-1635)上。

近年来，有机场效应晶体管由于在大面积、柔性化和低成本有源矩阵显示、射频标签等方面的潜在应用前景而备受学术界和工业界的关注，并取得了长足的发展。相比单极性有机电路，由p-型 和n-型 有机场效应晶体管组成的双极性互补电路优势更明显，但目前n-型有机场效应晶体管由于较低的器件性能和很差的稳定性，使其发展明显滞后于p-型有机场效应晶体管。因此，如何提高n-型有机场效应晶体管的器件性能和环境稳定性，从而更好的与高性能稳定的p-型有机场效应晶体管相匹配，已成为当前的研究热点。

本研究通过硫的上电极修饰，显著地提高了苝酰亚胺n-型器件的性能，此方法具有受空气氧化影响小，修饰效应非暂时，原料便宜且修饰方法简单等特点。另外器件的稳定性也与制备工艺直接相关，研究人员通过改进蒸镀条件，使无强吸电子基团的苝酰亚胺类器件的稳定性得到提高，从而使得此类n-型器件可以长期在空气中工作，并为其它苝酰亚胺类器件的稳定性的提高提供了一种方法。